Die Kioxia Corporation, ein weltweit führender Anbieter von Speicherlösungen, gab heute bekannt, dass das Unternehmen für seine Erfindung eines 3D-Flash-Speicherbausteins hoher Dichte und dessen Herstellungsverfahren (Patent Nr. 5016832), das die Speicherkapazität erheblich erhöht und die Herstellungskosten senkt, mit dem Imperial Invention Prize 2020 der National Commendation for Invention ausgezeichnet wurde.
Der Preis wurde vom Japan Institute of Invention and Innovation organisiert und zeigt die Bedeutung des Flash-Speichers für die Datenspeicherung in Anwendungen, die von Smartphones bis hin zu Datenzentren reichen. Mit dem Preis „National Commendation for Invention“ werden herausragende Erfindungen, Ideen oder Designs ausgezeichnet, die aufgrund ihrer Exzellenz wesentliche Ergebnisse erzielt haben oder voraussichtlich erzielen werden. Der Imperial Invention Prize ist die höchstrangige Auszeichnung des Programms.
Preisträger (Kioxia-Mitarbeiter, sofern nicht anders angegeben)
Imperial Invention Prize:
- Masaru Kito, Group Manager, Advanced Memory Development Center
- Hideaki Aochi, Senior Expert, Institute of Memory Technology Research and Development
- Ryota Katsumata, Assistant to General Manager, Advanced Memory Development Center
- Masaru Kido, Chief Specialist, Memory Development Strategy Division
- Hiroyasu Tanaka, Chief Specialist, Advanced Memory Development Center
- Akihiro Nitayama (ehemaliger Toshiba-Konzern)
Implementation Achievement Award (Auszeichnung für Implementierungsleistungen):
Nobuo Hayasaka, President und CEO
Die dreidimensionale Flash-Speichertechnologie von Kioxia wurde auch mit dem Education, Culture, Sports, Science and Technology Minister’s Prize (Preis des Ministers für Bildung, Kultur, Sport, Wissenschaft und Technologie) von 2019 für die Erfindung von Chubu ausgezeichnet und erhielt den „Andrew S. Grove Award 2021“ des IEEE für bahnbrechende und nachhaltige Beiträge zum dreidimensionalen Flash-Speicher mit hoher Dichte.
Konventionelle zweidimensionale Flash-Speichertechnologie ordnet die Zellen in einer zweidimensionalen Struktur an, wobei die Speicherzelle, die minimale Einheit zur Speicherung von Daten, in einer ebenen Richtung angeordnet ist. Durch die Miniaturisierung von Speicherzellen wird die Speicherkapazität pro Flächeneinheit erhöht, was sowohl eine größere Kapazität als auch niedrigere Produktionskosten ermöglicht. Allerdings stößt die Miniaturisierung an ihre physikalischen Grenzen.
Die preisgekrönte dreidimensionale Flash-Speichertechnologie von Kioxia ist ein bahnbrechender Ansatz, der den Herstellungsprozess für das vertikale Stapeln von Speicherzellen zur Realisierung von 3D-Flash-Speichern hoher Dichte stark vereinfacht hat. Während herkömmliches Stapeln wiederholte Abscheidungs- und Strukturierungsprozesse für die Herstellung von Speicherzellenarrays erforderte, werden bei dieser Technologie zunächst die Materialien für die Speicherzellen gestapelt und dann jede Zelle gleichzeitig in einem einmaligen Strukturierungsprozess hergestellt, wodurch die Verarbeitungsschritte erheblich reduziert werden.
Dreidimensionale Flash-Speicher mit hoher Kapazität und Leistung sind heute die führende Technologie auf dem Markt. Nach der Kommerzialisierung des dreidimensionalen Flash-Speichers BiCS FLASH™ mit 48 Schichten im Jahr 2015 ist Kioxia zur Massenproduktion von 64- und 96-Schicht-Versionen mit besonders hoher Dichte übergegangen.
Über die Kioxia Group
Kioxia ist ein weltweit führender Anbieter von Speicherlösungen, der sich auf die Entwicklung, Produktion und den Vertrieb von Flash-Speichern und Solid State Drives (SSDs) spezialisiert hat. Im April 2017 wurde der Vorgänger Toshiba Memory aus der Toshiba Corporation ausgegliedert, der Firma, die 1987 den NAND-Flash-Speicher erfand. Das Unternehmen ist ein Wegbereiter für innovative Speicherlösungen und Dienstleistungen, die das Leben der Menschen bereichern und den Horizont der Gesellschaft erweitern. Die innovative 3D-Flash-Speicher-Technologie von Kioxia, BiCS FLASH™, gestaltet die Zukunft der Datenspeicherung in Anwendungen mit hoher Speicherdichte, darunter fortschrittliche Smartphones, PCs, SSDs, Automobile und Rechenzentren.
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